Page 136 - 无损检测2021年第三期
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李 衍:
全矩阵捕获和全聚焦法检测标准化新动态
表 3 定向缺陷( 面型缺陷) 不同成像路径的特征 均可测得相应波幅值。随后, 将各横孔波幅调到基准
成像路径( 全波程) 缺陷反射取向 线, 测出所需增益值, 以此完成横孔波幅深度校正。
对横孔之间的点, 其波幅增益值可用插值法求得( 图
缺陷水平或接近水平取向; 缺陷
中1为横孔; 2为参考试块; 3 , 4为探头移动方向)。
其他取向, 取决于缺陷面入射角
和反射角
缺陷垂直或接近垂直取向; 缺陷
其他取向, 视波程中产生的变型
波
缺陷水平或接近水平取向; 缺陷 图 8 横孔灵敏度校正示意
其他取向 取 决 于 缺 陷 面 入 射 角
按关注区或 TFM 区深度范围, 所用参考试块
和反射角
需具有的横孔数量也不同, 具体要求如表 4 所示。
缺陷水平或接近水平取向 表 4 灵敏度校正用横孔数
关注区深度 d / mm 设置横孔数 相邻两横孔深度差
缺陷水平或接近水平取向 ≤ 10 1 -
10 < d ≤ 40 3 -
> 40 - <20% 关注区总深
9 检测准备
9.4 灵敏度设置
9.1 概要 需要时, 检测灵敏度须在代表要检测的缺陷的
检测目的应由规范规定。因此, 应确定检测体 反射体上进行设置和验证。
积。被检工件表面温度应为 0 ℃~50 ℃ 。温度若 采用多种成像路径( TTT , TTL ) 时, 需分别校
超出此范围, 应验证设备的适用性。 准灵敏度。视应用情况, 也可按被检工件几何条件
TFM 类成像法需了解诸多相关参数, 如测量系 或噪声水平来进行设置、 调整。
统、 阵列、 几何设置和材料特性等。这里概述与成像 9.5 网格设置
相关的参数。 网格设置关系到双全法的图像分辨率。对基
9.2 系统校验 本双 全 法 来 说, 若 网 格 点 间 距 小 于 λ / 5 ( λ 为 波
系统校验、 调节应考虑阵元灵敏度, 失效阵元以 长), 可得 稳 定 波 幅[ 此 规 定 值 见 ISO / DIS23865 :
及楔块参数( 声速、 角度、 尺寸) 等。 2020 附录 C.1.3 。波 幅 稳 定 性 验 证 程 序 中, 要 求
这些项目的跟踪应按检测程序规定出具校正记 关注 区 偏 移 量 的 增 量 值 小 于 λ / 20 ( 即 随 探 头 频
录报告。需校验项目至少应包括: ① 校准检查; ② 率、 波型而异), 见同附录 C.2.3 ]。网格校验指南
覆盖范围检查; ③ 灵敏度检查和调整; ④ 达到相应 详见ISO / DIS23865 : 2020 附录 C 。
检测等级需考虑的设置; ⑤ 定量、 表征、 评定( 表面
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和内部缺陷); ⑥ 工艺规定要素; ⑦ 校准试块、 参考
试块、 评定试块; ⑧ 报告设定要素。 进行任何超声检测, 均应制定书面检测程序。
9.3 灵敏度校正 除标准 ISO / DIS23865 : 2020 提出的要求, 至少 还
对一般情况, 可用 ϕ 3mm 横孔校正灵敏度( 例 应包括以下各项细节: ① 被检产品说明; ② 参考文
如ISO19675-2017 中的 PAUT 校准试块)。 件; ③ 检测人员资质; ④ 检测对象状态; ⑤ 检测区
若应用需要, 且处理过程不考虑所有传播效应, 域; ⑥ 扫查表面准备; ⑦ 耦合介质; ⑧ 检测设备说
则可采用波幅校正。 TFM 的波幅校正类似于 TCG 明; ⑨ 环 境 条 件; ⑩ 校 验 和 调 整; 扫 查 布 图;
( 时间校正增益) 或 ACG ( 角度校正增益) 相控阵校 检测操作程序和说明; 记录和评定等级; 缺
验。探头置于参考试块上, 在一组位于不同深度的 陷表征; 待用成像路径。
横孔上方移动( 可用仿真法校正灵敏度)。 应用具体条件和双全法的施用, 取决于被检产品
如图8所示, 令探头在横孔上方移动, 记录各横 类型和具体要求, 并应在书面程序中作交代。对在役
孔回波幅度。此时, 对关注区每条垂直线, 对各横孔 检测, 建议用含自然缺陷的检测试块, 验证检测程序
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2021 年 第 43 卷 第 3 期
无损检测

