Page 89 - 无损检测2024年第三期
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基于双晶相控阵探头的奥氏体不锈钢检测试验及应用
图4 距离 - 波幅特性曲线测试现场
图5 单晶一维线阵探头距离 - 波幅特性曲线
距离波幅特性即 DAC 曲线呈现的特性, 可以 线阵纵波法, 除了焦点深度较小时( 如10~15mm )
反映声压随声波传播距离的变化规律。相控阵技术 略呈抛物线状外, 在焦点深度逐渐增大后, 距离 - 波
可通过阵元延迟激发, 来获得声束聚焦的效果, 理想 幅曲线基本上呈单向下降的规律( 见图 6 ), 实际上
状态下, 在焦点附近应为声能的集中区域, 焦点深度 能量有向焦点附近集中趋势的, 但是深度较大区域
处的声压幅度最高, 两侧逐渐降低, 特性曲线应为抛 距离衰减的作用掩盖了单一电子聚焦的宏观效果,
物线, 但从图5中看出, 无论单晶线阵横波法和单晶 故不呈现抛物线状。
图6 单晶一维线阵探头焦点增大时距离 - 波幅曲线呈单向下降的规律
( 2 )双晶线阵和双晶面阵纵波法 晶二维面阵探头的距离 - 波幅特性曲线都呈抛物线
双晶一维线阵和双晶二维面阵探头距离 - 波幅 状, 说明该类探头的声压幅值在深度方向形成了明
特性如图7所示。由图7可知, 双晶一维线阵和双 显的声能集中区域。
图7 双晶一维线阵和双晶二维面阵探头距离 - 波幅特性曲线
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2024年 第46卷 第3期
无损检测
