Page 38 - 无损检测2023年第六期
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李卫平, 等:

   真空氦检漏技术在ITER 项目中的应用

   生的污染性气体和杂质排出屏蔽模块, 预烘烤操作                           真空室内需保持较高真空度, 避免造成产品表面
   示意如图6所示。                                          氧化。
                                                     4.2 温度监测
                                                       通过监测包层屏蔽块在加热或降温过程中最高
                                                     温度点和最低温度点的温差, 并根据温差来调节加
                                                     热或冷却速率, 可有效地防止温差过大导致的变形,
                                                     降低高温状态下包层屏蔽块的热应力。同时, 在包
                                                     层屏蔽块上布置多个热电偶来监控温度, 通过软件
                                                     模拟加热过程来检测红外辐射分布状态, 并以此为
                                                     参考布置热电偶。温度控制采用 PID 调节( 控制系

                 图6 预烘烤操作示意                          统的一种基本调节方式), 控制精度可达±1℃ 。热
       预烘烤结束后, 将包层屏蔽块放入真空室, 进行                       电偶分布如图7所示。
   高温真空烘烤, 在真空环境中进一步消除产品表面
   附着的残余气体。高温真空烘烤工艺具体参数如表
   1所示。
            表1  高温真空烘烤工艺参数

     项次名称        温度范围             烘烤要求   *
     起始温度         室温                 -
                                                                    图7 热电偶分布示意
                              部件各测量点最大温差应
                            小于设定值, 部件与加热和冷
     升温速率     室温~保温温度
                            却气体的温度差也应小于设             5 理论推导
                            定值
                                                     5.1 实际漏率的确定
               320 ℃ ≥ 保 温

     保温温度                            -
              温度≥200℃                                  当检测到泄漏信号时, 仪器上显示的数值并非
     保温时间        -                 大于24h             包层屏蔽块的真实漏率。这是因为仪器的显示值表

   3.2 密封隔离                                          示的是从仪器检漏口处测得的泄漏率, 实际检测时
     在舱门的设计中使用双层橡胶密封结构, 一方                           并不能将包层屏蔽块直接连接至仪器检漏口, 而是
   面在夹层中通入循环水对橡胶进行冷却, 另一方面                           需要使用波纹管连接到检漏仪。通常, 使用对比法
   在密封槽抽真空, 通过中间的真空层隔绝空气的                            经验公式来缩小这种误差, 即
                                                           (
   渗透。                                                Q= I 2- I 0 ' / I 1 - I 0 ) · Q 0 ·[ 1+ α ( T cold -T 0 )]
                                                                                                ( 1 )
  4 均温加热技术
                                                     式中: Q 为实际漏孔的真实漏率; I 2            为检测过程中
     热氦检漏试验时, 包层屏蔽块部件需经历高                            检漏仪显示的漏率; I 1        为标准漏孔的输出指示值;
   温氦气循环和常温氦气循环。如果该模块在试验                             Q 0  为标准漏孔的标称校正值; I 0          为系统本底漏率
                                                                                               为检
   过程中加热、 冷却过快, 可能导致温度梯度过大,                          值; I' 0  为检测时本底漏率; α 为温度系数; T cold
   热应力过高, 从而对模块造成疲劳损害, 检测时要                          测时的室温; T 0     为标准漏孔标称值测量温度。
                                                     5.2 等效漏率理论
   在检测效率和模块安全性之间取得平衡。因此,
   根据ITER 的技术要求, 部件各测量点最大温差应                           计算漏率时, 可使用氦等效漏率和空气等效漏
                                                     率。由于大泄漏率的漏孔很容易检出, 所以笔者重
   小于设定值。
   4.1 电加热技术                                         点关注的是那些泄漏率很低的漏孔。对于泄漏率很
                                                                                    -1
                                                                          -8
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     笔者使用空间分布的电加热棒, 实现真空室内                           低的漏孔( 泄漏率 <10 Pa · m · s ), 其气流呈现
   的均温加热, 保证真空室内的均温区大于包层屏蔽                           分子流状态。分子流状态下气体泄漏率与其相对分
   块的最大外形尺寸。均温区内的最大温差不大于                             子质量的平方根成反比。氦等效泄漏率 L R 氦 与空
                                                     气等效泄漏率L R 空气 的转换关系为

   20℃ , 空载升温到400℃不超过1h 。烘烤过程中,
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          2023年 第45卷 第6期
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